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論文・著書情報


タイトル
和文:第一原理計算に基づく4H-SiCの格子歪みによる電子・正孔の有効質量への影響の解明 
英文: 
著者
和文: 黒岩祐一郎, 松下雄一郎, 大場史康.  
英文: Yuichiro Kuroiwa, Yuichiro Matsushita, Fumiyasu Oba.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2018年11月6日 
出版者
和文: 
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会議名称
和文:先進パワー半導体分科会 第5回講演会 
英文: 
開催地
和文:京都市 
英文: 

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