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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Circuit speedoriented device design scheme for GaAsSb / InGaAs double gatehetero-junction tunnel FETs 
著者
和文: 福田 浩一, 野上 直哉, 國貞 彰吾, 宮本 恭幸.  
英文: K. Fukuda, N. Nogami, S. Kunisada, Y. Miyamoto.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Jpn. J. Appl. Phys. 
巻, 号, ページ         59, SGGA06 (2020)
出版年月 2020年2月8日 
出版者
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会議名称
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開催地
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公式リンク https://iopscience.iop.org/article/10.7567/1347-4065/ab6569
 

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