GaN Fin構造選択成長における低抵抗領域の発生原因の検討

論文・著書情報

タイトル

和文:	GaN Fin構造選択成長における低抵抗領域の発生原因の検討
英文:

著者

和文:	高山研, 向井勇人, 濱田拓也, 高橋言緒, 井手利英, 清水三総, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋, 筒井一生.
英文:	高山研, Hayato Mukai, Takuya Hamada, 高橋言緒, 井手利英, 清水三総, Takuya Hoshii, Kuniyuki KAKUSHIMA, Hitoshi Wakabayashi, HIROSHI IWAI, KAZUO TSUTSUI.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2019年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第80回応用物理学会秋季学術講演会
英文:

開催地

和文:	北海道
英文: