シリコン縦型パワーデバイスへのひずみ導入によるオン抵抗低減の研究 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	シリコン縦型パワーデバイスへのひずみ導入によるオン抵抗低減の研究
英文:

著者

和文:	井上毅哉, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋, 筒井一生.
英文:	Takeya Inoue, Takuya Hoshii, Kuniyuki KAKUSHIMA, Hitoshi Wakabayashi, HIROSHI IWAI, KAZUO TSUTSUI.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2019年9月

出版者

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会議名称

和文:	第80回応用物理学会秋季学術講演会
英文:

開催地

和文:	北海道
英文:

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