Poly-Si gate electrodes for AlGaN/GaN HEMT with high reliability and low gate leakage current

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Poly-Si gate electrodes for AlGaN/GaN HEMT with high reliability and low gate leakage current

著者

和文:	陳江寧, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之.
英文:	"J. Chen", "H. Wakabayashi", "K. Tsutsui", "H. Iwai", "K. Kakushima".

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Microelectronic Reliability

巻, 号, ページ

Vol. 63 pp. 52-55

出版年月

2016年8月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文:

DOI