Resistive switching properties of a thin SiO2 layer with CeOx buffer layer on n+ and p+ Si bottom electrodes

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Resistive switching properties of a thin SiO2 layer with CeOx buffer layer on n+ and p+ Si bottom electrodes

著者

和文:	Mokhammad Sholihul Hadi, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之.
英文:	"M.S. Hadi", "N. Sugii", "H. Wakabayashi", "K. Tsutsui", "H. Iwai", "K. Kakushima".

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Microelectronics Reliability

巻, 号, ページ

Vol. 63 pp. 42-45

出版年月

2016年8月

出版者

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会議名称

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開催地

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DOI