La2O3 gate dielectrics for AlGaN/GaN HEMT

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	La2O3 gate dielectrics for AlGaN/GaN HEMT

著者

和文:	陳江寧, 川那子高暢, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, "D. Nohata", 野平博司, 角嶋邦之.
英文:	"J. Chen", "T. Kawanago", "H. Wakabayashi", "K. Tsutsui", "H. Iwai", "D. Nohata", "H. Nohira", "K. Kakushima".

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Microelectronics Reliability

巻, 号, ページ

Vol. 60 pp. 16-19

出版年月

2016年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

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DOI