Ohmic Contact Properties Depending on AlGaN Layer Thickness for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Structures

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Ohmic Contact Properties Depending on AlGaN Layer Thickness for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Structures

著者

和文:	武井優典, 岡本真里, "Wataru Saito", 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 片岡好則, 岩井洋.
英文:	"Yusuke Takei", "Mari Okamoto", "Wataru Saito", "Kazuo Tsutsui", "Kuniyuki Kakushima", "Hitoshi Wakabayashi", "Yoshinori Kataoka", "Hiroshi Iwai".

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	ECS Transactions

巻, 号, ページ

Vol. 61 No. 4 pp. 265-270

出版年月

2014年5月

出版者

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会議名称

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開催地

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