Calculation of ultimate on-resistance in GaN lateral HFETs using device simulation

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Calculation of ultimate on-resistance in GaN lateral HFETs using device simulation

著者

和文:	寺山一真, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Ohasi, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生, H. Iwai.
英文:	K. Terayama, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Ohasi, K. Kakushima, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2014年2月7日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics: WIMNACT 39

開催地

和文:
英文:	Yokohama