Evaluation of 2DEG distribution on AlGaN/GaN HEMTs introducing uneven AlGaN layers and its possibility for low-resistive contacts formation

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Evaluation of 2DEG distribution on AlGaN/GaN HEMTs introducing uneven AlGaN layers and its possibility for low-resistive contacts formation

著者

和文:	神谷真行, 武井優典, W. Saito, 角嶋邦之, 若林整, 片岡好則, 筒井一生, 岩井洋.
英文:	M. Kamiya, Y. Takei, W. Saito, K. Kakushima, H. Wakabayashi, Y. Kataoka, K. Tsutsui, H. Iwai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2014年2月7日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics: WIMNACT 39

開催地

和文:
英文:	Yokohama