(100)- and (110)-Oriented nMOSFETs with Highly Scaled EOT in La-Silicate/Si Interface for Multi-Gate Architecture

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	(100)- and (110)-Oriented nMOSFETs with Highly Scaled EOT in La-Silicate/Si Interface for Multi-Gate Architecture

著者

和文:	川那子高暢, 角嶋邦之, AHMET PARHAT, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 筒井一生, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋.
英文:	T. Kawanago, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai.

言語

English

掲載誌/書名

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英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2012年

出版者

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会議名称

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英文:	42nd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2012)

開催地

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英文: