Ni silicidation on Heavily Doped Si Substrates

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Ni silicidation on Heavily Doped Si Substrates

著者

和文:	AHMET PARHAT, Takashi Shiozawa, Koji Nagahiro, 永田貴弘, 角嶋邦之, 筒井一生, 知京豊裕, 岩井洋.
英文:	Parhat Ahmet, Takashi Shiozawa, Koji Nagahiro, Takahiro Nagata, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Toyohiro Chikyow, Hiroshi Iwai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2008年10月20日

出版者

和文:
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会議名称

和文:
英文:	The 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT 2008)

開催地

和文:
英文:	Beijing