0.5 nm EOT MOS Structure with TaSix/W Stacked Gate Electrode

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	0.5 nm EOT MOS Structure with TaSix/W Stacked Gate Electrode

著者

和文:	岡本晃一, 角嶋邦之, AHMET PARHAT, 筒井一生, 杉井信之, A. Chandorkar, 服部健雄, 岩井洋.
英文:	K. Okamoto, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, A. Chandorkar, T. Hattori, H. Iwai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2008年10月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	214th ECS Meeting (PRiME 2008)

開催地

和文:
英文:	Hawaii