New Analysis of Heavily Doped Boron and Arsenic in Shallow Junctions by X-Ray Photoelectron Spectroscopy

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	New Analysis of Heavily Doped Boron and Arsenic in Shallow Junctions by X-Ray Photoelectron Spectroscopy

著者

和文:	筒井一生, 渡邉将光, 中川恭成, 松田卓也, 吉田貴広, E. Ikenaga, 角嶋邦之, AHMET PARHAT, 野平博司, T. Maruizumi, 小椋厚志, 服部健雄, 岩井洋.
英文:	K. Tsutsui, M. Watanabe, Y. Nakagawa, T. Matsuda, Y. Yoshida, E. Ikenaga, K. Kakushima, P. Ahmet, H. Nohira, T. Maruizumi, A. Ogura, T. Hattori, H. Iwai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2008年9月15日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	the 38th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC2008)

開催地

和文:
英文:	Edinburgh