Parasitic Effects Depending on Shape of Spacer Region on FinFETs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Parasitic Effects Depending on Shape of Spacer Region on FinFETs

著者

和文:	小林由貴, 筒井一生, 角嶋邦之, V. Hariharan, V. R. Rao, AHMET PARHAT, 岩井洋.
英文:	Y. Kobayashi, K. Tsutsui, K. Kakushima, V. Hariharan, V. R. Rao, P. Ahmet, H. Iwai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2007年5月6日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	211th ECS Meeting

開催地

和文:
英文:	Chicago