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論文・著書情報


タイトル
和文:界面電荷量によるGaN HEMTの耐圧制御の提案 
英文: 
著者
和文: 宮本恭幸, 後藤高寛.  
英文: YASUYUKI MIYAMOTO, Takahiro Gotow.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2021年3月3日 
出版者
和文: 
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会議名称
和文:電子デバイス研究会 
英文: 
開催地
和文: 
英文: 

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