選択成長法を用いたGaN FinFETの作製:リーク電流抑制の改良

論文・著書情報

タイトル

和文:	選択成長法を用いたGaN FinFETの作製:リーク電流抑制の改良
英文:

著者

和文:	高山研, 太田貴士, 佐々木満孝, 向井勇人, 濱田拓也, 高橋言雄, 井出利英, 清水三聡, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生.
英文:	高山研, Takashi Ota, Mitsutaka Sasaki, Hayato Mukai, Takuya Hamada, 高橋言雄, 井出利英, 清水三聡, Takuya Hoshii, Kuniyuki KAKUSHIMA, Hitoshi Wakabayashi, KAZUO TSUTSUI.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2020年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第81回応用物理学会秋季学術講演会
英文:

開催地

和文:
英文: