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論文・著書情報


タイトル
和文:選択成長法を用いたGaN 系FinFET 
英文: 
著者
和文: 筒井一生, 濱田拓也, 高山 研, 金 相佑, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林 整, 高橋言緒, 井手利英, 清水三聡.  
英文: KAZUO TSUTSUI, Takuya Hamada, 高山 研, Sangwoo Kim, Takuya Hoshii, Kuniyuki KAKUSHIMA, Hitoshi Wakabayashi, 高橋言緒, 井手利英, 清水三聡.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2021年3月 
出版者
和文: 
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会議名称
和文:電気学会電子デバイス研究会 
英文: 
開催地
和文: 
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