High-Performance Indium Gallium Tin Oxide Transistors with an Al2O3 Gate Insulator Deposited by Atomic Layer Deposition at a Low Temperature of 150 °C: Roles of Hydrogen and Excess Oxygen in the Al2O3 Dielectric Film

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	High-Performance Indium Gallium Tin Oxide Transistors with an Al2O3 Gate Insulator Deposited by Atomic Layer Deposition at a Low Temperature of 150 °C: Roles of Hydrogen and Excess Oxygen in the Al2O3 Dielectric Film

著者

和文:	Cheol Hee Choi, Taikyu Kim, 上田茂典, Shiah Yu-Shien, 細野秀雄, 金正煥, Jae Kyeong Jeong.
英文:	Cheol Hee Choi, Taikyu Kim, Shigenori Ueda, Yu-Shien Shiah, Hideo Hosono, Junghwan Kim, Jae Kyeong Jeong.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	ACS Applied Materials and Interfaces

巻, 号, ページ

出版年月

2021年6月11日

出版者

和文:
英文:	ACS Publications

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文:

公式リンク

DOI