Formation of Ferroelectric Y-doped HfO2 though Atomic Layer Deposition and Low Temperature Post Annealing

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Formation of Ferroelectric Y-doped HfO2 though Atomic Layer Deposition and Low Temperature Post Annealing

著者

和文:	水谷一翔, LIN Yu-Wei, 星井拓也, 舟窪浩, 若林整, Kazuto Tsutsui, 角嶋邦之.
英文:	Kazuto Mizutani, Yu Wei Lin, Takuya Hoshii, Hiroshi Funakubo, Hitoshi Wakabayashi, Kazuto Tsutsui, Kuniyuki Kakushima.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2020年8月10日

出版者

和文:
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会議名称

和文:
英文:	2020 VLSI-TSA Symposium (The 2020 International Symposium on VLSI Technology, System and Applications)

開催地

和文:
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