High field-effect mobility with suppressed negative threshold voltage shift in 4H-SiC MOSFET with cerium oxide interfacial layer

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	High field-effect mobility with suppressed negative threshold voltage shift in 4H-SiC MOSFET with cerium oxide interfacial layer

著者

和文:	宋禛漢, 太田惇丈, 星井拓也, 若林整, 筒井一生, 角嶋邦之.
英文:	Jinhan Song, Atsuhiro Ohta, Takuya Hoshii, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Japanese Journal of Applied Physics (JJAP) (Rapid Communication)

巻, 号, ページ

Vol. 60 Page 30901

出版年月

2021年2月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文:

DOI