3.3 kV Back-Gate-Controlled IGBT (BC-IGBT) Using Manufacturable Double-Side Process Technology

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	3.3 kV Back-Gate-Controlled IGBT (BC-IGBT) Using Manufacturable Double-Side Process Technology

著者

和文:	Takuya Saraya, Kazuo Ito, Toshihiko Takakura, Munetoshi Fukui, Shinichi Suzuki, Kiyoshi Takeuchi, Masanori Tsukuda, Katsumi Satoh, Tomoko Matsudai, 角嶋邦之, 星井拓也, 筒井一生, 岩井洋, Atsushi Ogura, Wataru Saito, Shin-ichi Nishizawa, Ichiro Omura, 大橋弘通, Toshiro Hiramoto.
英文:	Takuya Saraya, Kazuo Ito, Toshihiko Takakura, Munetoshi Fukui, Shinichi Suzuki, Kiyoshi Takeuchi, Masanori Tsukuda, Katsumi Satoh, Tomoko Matsudai, Kuniyuki Kakushima, Takuya Hoshii, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai, Atsushi Ogura, Wataru Saito, Shin-ichi Nishizawa, Ichiro Omura, Hiromichi Ohashi, Toshiro Hiramoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2020年12月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	International Electron Devices Meeting (IEDM) 2020

開催地

和文:
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