ZrS2 Ambipolar FETs with Schottky Barrier to Near-Midgap TiN Contact Controlled by Top Gate TiN/Al2O3 Stack

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	ZrS2 Ambipolar FETs with Schottky Barrier to Near-Midgap TiN Contact Controlled by Top Gate TiN/Al2O3 Stack

著者

和文:	濱田昌也, 松浦賢太朗, 濱田拓也, 宗田伊理也, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整.
英文:	Masaya Hamada, Kentaro Matsuura, Takuya Hamada, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2020年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	International Conference of Solid State Devices and Materials (SSDM) 2020

開催地

和文:
英文: