n-type Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜の電子状態 | T2R2 東京工業大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	n-type Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜の電子状態
英文:

著者

和文:	中村玲雄, 勝俣錬, 潮田亮太, 大内拓実, 小森文夫, 飯盛拓嗣, 平山博之, 中辻寛.
英文:	Leo Nakamura, Ren Katsumata, Ryota Ushioda, Takumi Ouchi, 小森文夫, 飯盛拓嗣, HIROYUKI HIRAYAMA, Kan Nakatsuji.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2021年3月12日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	日本物理学会第76回年次大会
英文:

開催地

和文:
英文:

©2007 Tokyo Institute of Technology All rights reserved.