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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Accurate TCAD simulation of trench-gate IGBTs and its application to prediction of carrier lifetime requirements for future scaled devices 
著者
和文: 渡辺 正裕, Naoyuki Shigyo, 星井 拓也, Kazuyoshi Furukawa, 角嶋 邦之, Katsumi Satoh, Tomoko Matsudai, Takuya Saraya, 宗田 伊理也, 若林 整, 中島 昭, Shin-ichi Nishizawa, 筒井 一生, Toshiro Hiramoto, 大橋 弘通, 岩井 洋.  
英文: Masahiro Watanabe, Naoyuki Shigyo, Takuya Hoshii, Kazuyoshi Furukawa, Kuniyuki Kakushima, Katsumi Satoh, Tomoko Matsudai, Takuya Saraya, Iriya Muneta, Hitoshi Wakabayashi, Akira Nakajima, Shin-ichi Nishizawa, Kazuo Tsutsui, Toshiro Hiramoto, Hiromichi Ohashi, Hiroshi Iwai.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Proceedings of the 5th Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2021) 
巻, 号, ページ         pp. 217-219
出版年月 2021年4月8日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文:IEEE 5th Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2021) 
英文: 
開催地
和文: 
英文:Chengdu 

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