TCAD simulation of trench-gate IGBTs for  prediction of carrier lifetime requirements for future scaled devices

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	TCAD simulation of trench-gate IGBTs for prediction of carrier lifetime requirements for future scaled devices

著者

和文:	渡辺正裕.
英文:	Masahiro Watanabe.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Proceedings of the 2021 IEEE 14th International Conference on ASIC (ASICON 2021)

巻, 号, ページ

出版年月

2021年10月26日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2021 IEEE 14th International Conference on ASIC (ASICON 2021)

開催地

和文:
英文:	Kunming