Simulation-Based Understanding of “Charge-Sharing Phenomenon” Induced by Heavy-Ion Incident on a 65nm Bulk CMOS Memory Circuit

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Simulation-Based Understanding of “Charge-Sharing Phenomenon” Induced by Heavy-Ion Incident on a 65nm Bulk CMOS Memory Circuit

著者

和文:	丸明史, 松田晃史, Satoshi Kuboyama, 吉本護.
英文:	Akifumi Maru, Akifumi Matsuda, Satoshi Kuboyama, Mamoru Yoshimoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEICE Transactions on Electronics

巻, 号, ページ

E105.C 1 47-50

出版年月

2022年1月1日

出版者

和文:
英文:	Institute of Electronics, Information and Communications Engineers (IEICE)

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文:

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DOI