Ultralow-Voltage Retention SRAM With a Power Gating Cell Architecture Using Header and Footer Power-Switches

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Ultralow-Voltage Retention SRAM With a Power Gating Cell Architecture Using Header and Footer Power-Switches

著者

和文:	吉田隼, 塩津勇作, 北形大樹, 山本修一郎, 菅原聡.
英文:	Hayato Yoshida, Yusaku Shiotsu, Daiki Kitagata, Shuichiro Yamamoto, Satoshi Sugahara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEEE Open Journal of Circuits and Systems

巻, 号, ページ

Vol. 2 pp. 520-533

出版年月

2021年8月17日

出版者

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会議名称

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開催地

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