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論文・著書情報


タイトル
和文:GaN HEMTでの二次元電子ガスキャリヤ濃度と ゲートドレイン間リーク電流理論計算 
英文: 
著者
和文: 宮本恭幸, 後藤高寛.  
英文: YASUYUKI MIYAMOTO, Takahiro Gotow.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文:電気学会論文誌C 
英文: 
巻, 号, ページ Vol. 142    No. 3    pp. 348-353
出版年月 2022年3月1日 
出版者
和文:電気学会 
英文: 
会議名称
和文: 
英文: 
開催地
和文: 
英文: 
DOI https://doi.org/10.1541/ieejeiss.142.348

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