Comparative study of breakdown and interface properties of gate insulator on N-polar and Ga-polar GaN MIS capacitor

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Comparative study of breakdown and interface properties of gate insulator on N-polar and Ga-polar GaN MIS capacitor

著者

和文:	後藤高寛, 須賀達士, 宮本恭幸.
英文:	T. Gotow, Tatsushi Suka, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2021年9月6日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	International Conference on Solid State Devices and Materials

開催地

和文:	札幌
英文:	Sapporo

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