GaN HEMTs with self-upward-polarized AlScN gate dielectrics toward E-mode operation

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	GaN HEMTs with self-upward-polarized AlScN gate dielectrics toward E-mode operation

著者

和文:	Chen Si-Meng, TSAI Sung Lin, 水谷一翔, 星井拓也, 若林整, 筒井一生, 角嶋邦之.
英文:	Si-Meng Chen, Sung-Lin Tsai, Kazuto Mizutani, Takuya Hoshii, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2021年11月

出版者

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会議名称

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英文:	International Workshop on Dieectfic Thin Films for Futre Electron Devices -Science and Technology-

開催地

和文:
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