GaN high electron mobility transistors (HEMTs) with self-upward-polarized AlScN gate dielectrics toward enhancement-mode operation

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	GaN high electron mobility transistors (HEMTs) with self-upward-polarized AlScN gate dielectrics toward enhancement-mode operation

著者

和文:	ChenSi-Meng, TSAISung Lin, 水谷一翔, 星井拓也, 若林整, 筒井一生, Edward Yi Chang, 角嶋邦之.
英文:	Si-Meng Chen, Sung Lin Tsai, Kazuto Mizutani, Takuya Hoshii, Hitoshi Wakabayashi, KAZUO TSUTSUI, Edward Yi Chang, Kuniyuki KAKUSHIMA.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Japanese Journal of Applied Physics

巻, 号, ページ

Volume 61

出版年月

2022年6月13日

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

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英文: