p型単一障壁トンネルダイオード及び2重障壁共鳴トンネルダイオードを用いたSi/CaF<sub>2</sub>界面における価電子帯障壁高さ(∆Ev)の評価

論文・著書情報

タイトル

和文:	p型単一障壁トンネルダイオード及び2重障壁共鳴トンネルダイオードを用いたSi/CaF₂界面における価電子帯障壁高さ(∆Ev)の評価
英文:	Evaluation of valence band difference (∆Ev) at Si/CaF₂ interface using p-type single barrier tunneling diodes and double barrier resonant tunneling diodes

著者

和文:	菅原大暉, 劉龍, 鄭源宰, 小柳陽平, 北村研太, 渡辺正裕.
英文:	Daiki Sugawara, Long Liu, Gensai Tei, Yohei Koyanagi, Kenta Kitamura, MASAHIRO WATANABE.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	第69回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 (青山学院大学相模原キャンパス＆オンライン)
英文:

巻, 号, ページ

p. 12-046

出版年月

2022年3月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第69回応用物理学会春季学術講演会
英文:	The 69th The Japan Society of Applied Physics Spring Meeting

開催地

和文:
英文: