A Z-gate Layout MOSFET Design and Verification of Radiation Hardness against γ-ray Total Ionizing Dose Effect

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	A Z-gate Layout MOSFET Design and Verification of Radiation Hardness against γ-ray Total Ionizing Dose Effect

著者

和文:	黒木海斗, 木村有佐, 平川顕二, 岩瀬正幸, 小笠原宗博, 依田孝, 石原昇, 伊藤浩之.
英文:	Kaito Kuroki, Arisa Kimura, Kenji Hirakawa, Masayuki Iwase, Munehiro Ogasawara, Takashi Yoda, Noboru Ishihara, Hiroyuki Ito.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	International Conference on Solid State Devices and Materials

巻, 号, ページ

出版年月

2022年9月27日

出版者

和文:
英文:	JJAP

会議名称

和文:
英文:	International Conference on Solid State Devices and Materials

開催地

和文:
英文: