6.5kV耐圧SiC-MOSFETの出力特性モデリング | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	6.5kV耐圧SiC-MOSFETの出力特性モデリング
英文:

著者

和文:	滕飛, 葛本昌樹, 萩原誠, 石井佑季, 中嶋純一, 椋木康滋, 堀口剛司.
英文:	Fei Teng, Masaki Kuzumoto, Makoto Hagiwara, Yuuki Ishii, Junichi Nakashima, Yasushige Mukunoki, Takeshi Horiguchi.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

4-013 pp. 20-21

出版年月

2019年3月

出版者

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会議名称

和文:	平成31年電気学会全国大会
英文:

開催地

和文:
英文:

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