SiC-MOSFETデバイスモデルによる高周波漏洩電流の解析

論文・著書情報

タイトル

和文:	SiC-MOSFETデバイスモデルによる高周波漏洩電流の解析
英文:

著者

和文:	松尾翼, 昆野賢太郎, 葛本昌樹, 萩原誠, 赤木泰文, 椋木康滋, 堀口剛司, 中武浩.
英文:	Tsubasa Matsuo, Kentarou Konno, Masaki Kuzumoto, Makoto Hagiwara, Hirofumi Akagi, Yasushige Mukunoki, Takeshi Horiguchi, 中武浩.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

4-112 pp. 181-182

出版年月

2018年3月

出版者

和文:
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会議名称

和文:	平成30年電気学会全国大会
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開催地

和文:
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