Study on 0.18 µm SiGe BiCMOS having compatibility with standard CMOS process and SiGe HBT with high frequency characteristics over 250 GHz

論文・著書情報

タイトル

和文:	標準CMOSプロセスとの整合性と高周波特性250GHz越のSiGe HBTを有する0.18µm SiGe BiCMOSの研究
英文:	Study on 0.18 µm SiGe BiCMOS having compatibility with standard CMOS process and SiGe HBT with high frequency characteristics over 250 GHz

著者

和文:	橋本尚.
英文:	Takashi Hashimoto.

種別

種別:	学位論文(博士)
国名:	Japan

言語

English

学位授与組織

Tokyo Institute of Technology

報告番号

甲第12386号

学位授与日

2023/03/26

審査員

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