Performance Improvements of P-channel GaN HFETs by Atomic Layer Etching using Nitrogen Plasma

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Performance Improvements of P-channel GaN HFETs by Atomic Layer Etching using Nitrogen Plasma

著者

和文:	木村匠之介, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生.
英文:	Shonosuke Kimura, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2022年10月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	the International Workshop on Nitride Semiconductors 2022

開催地

和文:
英文:	Berlin