Integration of BiSb Topological Insulator and CoFeB/MgO With Perpendicular Magnetic Anisotropy Using an Oxide Interfacial Layer for Ultralow Power SOT-MRAM Cache Memory

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Integration of BiSb Topological Insulator and CoFeB/MgO With Perpendicular Magnetic Anisotropy Using an Oxide Interfacial Layer for Ultralow Power SOT-MRAM Cache Memory

著者

和文:	HO HOANG HUY, ZHANG RUIXIAN, 白倉孝典, Shigeki Takahashi, Yoshiyuki Hirayama, PHAM NAM HAI.
英文:	Ho Hoang Huy, Zhang Ruixian, Takanori Shirokura, Shigeki Takahashi, Yoshiyuki Hirayama, Pham Nam Hai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEEE Transactions on Magnetics

巻, 号, ページ

Vol. 59 No. 11 pp. 3400905

出版年月

2023年5月11日

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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DOI