スパッタリング法で作製したウルツ鉱構造 (Al,Sc)N 薄膜の結晶構造と強誘電性に関する研究 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	スパッタリング法で作製したウルツ鉱構造 (Al,Sc)N 薄膜の結晶構造と強誘電性に関する研究
英文:	Study on crystal structure and ferroelectricity in wurtzite (Al,Sc)N thin films deposited by sputtering method

著者

和文:	安岡慎之介.
英文:	Shinnosuke Yasuoka.

種別

種別:	学位論文(博士)要約
国名:	Japan

言語

English

学位授与組織

Tokyo Institute of Technology

報告番号

甲第12724号

学位授与日

2024/03/26

審査員

ファイル

©2007 Institute of Science Tokyo All rights reserved.