Interface properties of SiC MOS devices with NH3 plasma nitridation of ultrathin SiO2 interfacial layer

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Interface properties of SiC MOS devices with NH3 plasma nitridation of ultrathin SiO2 interfacial layer

著者

和文:	Li An, 星井拓也, 筒井一生, 若林整, 角嶋邦之.
英文:	An Li, Takuya Hoshii, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi, Kuniyuki Kakushima.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Japanese Journal of Applied Physics

巻, 号, ページ

Vol. 64

出版年月

2025年3月6日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文:

公式リンク

DOI