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中川茂樹 研究者情報

姓 中川  Nakagawa 
名 茂樹  Shigeki 
所属組織 東京科学大学 教育研究組織 工学院
専門分野 その他 (磁性機能デバイス・メモリー, 磁性材料・薄膜, 薄膜デバイス作製技術)
学位論文 垂直磁気記録用薄膜媒体の磁気異方性制御に関する研究,  本文,  工学博士,  東京工業大学,  1993/06/30,   
Heガスを用いた磁界圧着形マグネトロンスパッタ法によるa-Si薄膜の作製,  Master of Engineering,  1985/--/--, 
関連URL
個人用ホームページURLhttp://www.spin.pe.titech.ac.jp/index-j.html

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