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内田建 研究者情報

姓 内田  Uchida 
名 建  Ken 
状態 本学を転出・卒業
専門分野 マイクロナノデバマイクロ・ナノデバイス (ナノデバイス)
電子デバイス・電子機器 (電子デバイス)
電子・電気材料工学 (電子材料工学)
研究テーマ ナノエレクトロニクス、CMOSデバイス物理、キャリア輸送、単電子素子 
学位論文 シリコン単電子素子とその集積回路への応用に関する研究,  本文,  Doctor of Engineering,  2002/09/--, 

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