論文

• Aya Shindome, Yu Doioka, Nobuyasu Beppu, Shunri Oda, Ken Uchida. Experimental Study of Two-Terminal Resistive Random Access Memory Realized in Mono- and Multilayer Exfoliated Graphene Nanoribbons, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 52, pp. 04CN05 (5 pages), Mar. 2013.
• Tsunaki Takahashi, Nobuyasu Beppu, Kunro Chen, Shunri Oda, Ken Uchida. Self-Heating Effects and Analog Performance Optimization of Fin-Type Field-Effect Transistors, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 52, pp. 04CC03 (6 pages), Feb. 2013.

国際会議発表 (査読有り)

• N. Beppu, T. Takahashi, S Oda, K. Uchida. Experimental Study of Self-Heating Effect (SHE) in SOI MOSFETs: Accurate Understanding of Temperatures During AC Conductance Measurement, Proposals of 2ω Method and Modified Pulsed IV, IEDM 2012, pp. 641-644, 2012.
• T. Takahashi, K.Chen, N.Beppu, S. Oda, K. Uchida. Thermal-Aware Device Design of Nanoscale Bulk/SOI FinFETs: Suppression of Operation Temperature and Its Variability, IEDM2011, 34.6, Dec. 2011.
• T. Ohashi, T. Takahashi, N. Beppu, S. Oda, K. Uchida. Experimental Evidence of Increased Deformation Potential at MOS Interface and its Impact on Characteristics of ETSOI FETs, IEDM2011, No. 16.4, Dec. 2011.
• T. Takahashi, N. Beppu, K. Chen, S. Oda, K. Uchida. Thermal-Aware Device Design of Nanoscale Bulk/SOI FinFETs: Suppression of Operation Temperature and Its Variability, IEDM 2011, pp. 809-812, 2011.
• T. Ohashi, T. Takahashi, N. Beppu, S. Oda, K. Uchida. Experimental Evidence of Increased Deformation Potential at MOS Interface and Its Impact on Characteristic of ETSOI FETs, IEDM 2011, pp. 390-393, 2011.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 高橋綱己, 別府伸耕, 陳君ろ, 小田俊理, 内田建. バルク／SOI FinFET の自己加熱およびアナログ特性の最適化, 第61回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2014.
• 高橋綱己, 別府伸耕, 小田俊理, 内田建. 熱配慮設計によるFinFETアナログ特性の最適化, 第60回応用物理学会春季学術講演会, 2013.
• 新留 彩, 別府伸耕, 高橋綱己, 小田俊理, 内田 建. 架橋・非架橋構造のグラフェン抵抗変化型メモリの書込・消去特性, 第60回応用物理学会春季学術講演会, 2013.
• 高橋綱己, 別府伸耕, 陳 君璐, 小田俊理, 内田 建. デバイスシミュレータを用いたナノスケールBulk/SOI FinFET の熱設計, 第59回応用物理学関係連合講演会, 17a-A1-9, Mar. 2012.
• 別府伸耕, 小田俊理, 内田 建. AC コンダクタンス法及びパルスIV 法による自己発熱抑制時のSOI MOSFETドレイン電流評価, 第59回応用物理学関係連合講演会, 17a-A1-8, Mar. 2012.
• 高橋綱己, 別府伸耕, 小田俊理, 内田 建. デバイスシミュレータを用いたナノスケールBulk/SOI FinFET熱等価回路モデルの導出, 第73回応用物理学会学術講演会, 2012.
• 別府伸耕, 小田俊理, 内田 建. ACコンダクタンス法を用いた実験手法に対する検証, 第73回応用物理学会学術講演会, 2012.

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