国際会議発表 (査読なし・不明)

• N. Nishiya, K. Harada, Y. Kumagai, H. Akamatsu, F. Oba. Theoretical study of doping limits in semiconductors, The Tenth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-10), Aug. 2017.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 西谷宣彦, 原田航, 熊谷悠, 赤松寛文, 大場史康. 化合物半導体における点欠陥形成とドーピング限界の理論的検討, 日本金属学会2017年春期講演大会, Mar. 2017.
• 西谷 宣彦, 原田 航, 熊谷 悠, 赤松寛文, 大場 史康. 半導体におけるドーピング限界の理論的研究, 第26回日本MRS年次大会, Dec. 2016.
• 原田航, 熊谷悠, 西谷宣彦, 松崎功佑, 須崎友文, 大場史康. 窒化銅中の点欠陥の第一原理計算, 日本金属学会2016年（第159回）秋期講演大会, Sept. 2016.
• 西谷宣彦, 原田航, 熊谷悠, 赤松寛文, 大場史康. 第一原理計算による化合物半導体のドーピング限界の検討, 日本金属学会2016年（第159回）秋期講演大会, Sept. 2016.

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