国際会議発表 (査読有り)

• Toshihiro Furukawa, Fumiya Hoshino, Yoshitaka Kobayashi, Tomoyuki Miyamoto. Growth and photoluminescence characteristics of GaNAsP/GaP 3QW on GaP substrate, The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013), May 2013.
• Fumiya Hoshino, Toshihiro Furukawa, Tomoyuki Miyamoto. Growth characteristics of GaInAs quantum dots on GaP substrate by MOCVD, The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013), May 2013.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 星野文哉, 古川聖紘, 押田将平, 宮本智之. MOCVD法によるGaP基板上GaInAs量子ドットの形成, 第74回応用物理学会学術講演会, Sept. 2013.
• 古川聖紘, 星野文哉, 小林由貴, 宮本智之. MOCVD 法によるGaP 基板上GaNAsP/GaP 3 重量子井戸の室温発光特性, 第60回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2013.
• 星野文哉, 古川聖紘, 宮本智之. MOCVD法によるGaP基板上GaInAs量子ドットの形成と発光評価, 第60回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2013.
• 小林由貴, 古川聖紘, 田辺 悟, 西尾 礼, 宮本智之. MOCVD法によるGaP基板上GaNAsP/Ga(N)P3重量子井戸の成長特性と発光評価, 第71回応用物理学会学術講演会, Aug. 2011.

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