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岩田恭彰 研究業績一覧 (2件)



- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020


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国内会議発表 (査読なし・不明)
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岩田恭彰,
冨永真志,
藤田英明,
赤木泰文,
堀口剛司,
木ノ内伸一,
大井健史,
漆畑廣明.
高精度MOSFETモデルを用いた損失・ノイズ評価への基礎的検討,
産業応用部門大会,
電気学会 産業応用部門大会,
電気学会,
Vol. 1,
no. 1-135,
pp. 615-618,
Sept. 2011.
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岩田恭彰,
冨永真志,
西村 正,
藤田英明,
赤木泰文,
堀口剛司,
木ノ内伸一,
大井健史.
デバイスモデルを用いたインバータ動作時の過渡熱解析,
半導体電力変換研究会,
電気学会研究会資料,
no. SPC-12-016,
June 2011.
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