国際会議発表 (査読有り)

• Katuya Matano, Kiyohisa Funamizu, Miyuki Kouda, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Electrical Characteristics of Rare Earth (La, Ce, Pr and Tm) Oxides/Silicates Gate Dielectric, China Semiconductor Technology International Conference, [, pp. 1129-1134, Mar. 2010.
• K. Noguchi, W. Hosoda, K. Matano, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, A. Chandorkar, T. Hattori, H. Iwai. Schottky Barrier Height Modulation by Er Insertion and Its Application to SB-MOSFETs, 214th ECS Meeting (PRiME 2008), Oct. 2008.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• Katuya Matano, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, Nobuyuki Sugii, KAZUO TSUTSUI, takeo hattori, HIROSHI IWAI. Threshold Voltage Control in p-MOSFET with High-k Gate dielectric, G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices, Oct. 2009.
• 又野克哉, 川那子高暢, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋. Ge層挿入によるLa2O3-MOSキャパシタのVFB制御, 第56回応用物理学関係連合講演会, 第56回応用物理学関係連合講演会予稿集, 応用物理学会, No. 2, pp. 854, Mar. 2009.
• 又野克哉, 野口 浩平, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋. Hf層界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調技術, 秋季第69回応用物理学会学術講演会, 秋季第69回応用物理学会学術講演会予稿集, 応用物理学会, No. 2, pp. 751, Sept. 2008.

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