国際会議発表 (査読有り)

• Akira Nakajima, Sin-ichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi, Hiroaki Yonezawa, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Hiroshi Iwai. One-Chip Operation of GaN-Based p-Channel and N-Channel Heterojunction Field Effect Transistors, The 26th Int. Symp. on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2014), 2014.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• Hiroaki Yonezawa, Rei Kayanuma, 中島 昭, 西澤伸一, 大橋弘通, KAZUO TSUTSUI, Kuniyuki KAKUSHIMA, Hitoshi Wakabayashi, HIROSHI IWAI. AlGaN/GaN-based p-channel HFETs with wide-operating temperature, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, 2014.
• 中島 昭, Hiroaki Yonezawa, KAZUO TSUTSUI, Kuniyuki KAKUSHIMA, 西澤伸一, 大橋弘通, Hitoshi Wakabayashi, HIROSHI IWAI. One-chip operation of GaN-based P-channel and N-channel Heterojunction Field Effect Transistors, The 26th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs(ISPSD 2014), 2014.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 米澤宏昭, 萱沼怜, 中島 昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋. 広い温度範囲で動作するAlGaN/GaN系Pチャネル型HFET, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014.
• 武井優典, 神谷真行, 寺山一真, 米澤宏昭, 齋藤 渉, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 片岡好則, 岩井洋. AlGaN/GaN系HEMTにおけるコンタクト特性のAlGaN層厚依存性, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013.
• 劉 璞誠, 米澤宏昭, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋. AlGaNのドライエッチングへのBcl3の影響に関する研究, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013.
• 米澤宏昭, 中島 昭, 西澤 伸一, 大橋 弘通, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋. AlGaN/GaN系pチャンネルHFETの製作, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013.

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