論文

• Aya Shindome, Yu Doioka, Nobuyasu Beppu, Shunri Oda, Ken Uchida. Experimental Study of Two-Terminal Resistive Random Access Memory Realized in Mono- and Multilayer Exfoliated Graphene Nanoribbons, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 52, pp. 04CN05 (5 pages), Mar. 2013.

国際会議発表 (査読有り)

• Aya Shindome, Tsunaki Takahashi, Shunri Oda, Ken Uchida. Experimental Study on SET/RESET Conditions for Graphene ReRAM, Solid State Devices and Materials Conference, Sept. 2013.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 新留彩, 高橋綱己, 小田俊理, 内田建. グラフェン抵抗変化型メモリの3端子動作に関する研究, 第61回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2014.
• 新留彩, 高橋綱己, 小田俊理, 内田建. グラフェン抵抗変化型メモリのSET/RESET条件に関する研究, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2013.
• 新留 彩, 別府伸耕, 高橋綱己, 小田俊理, 内田 建. 架橋・非架橋構造のグラフェン抵抗変化型メモリの書込・消去特性, 第60回応用物理学会春季学術講演会, 2013.
• 新留 彩, 福田祐樹, 小田俊理, 内田 建. ユニバーサル曲線を超えるMOSFET移動度の観測とその物理的起源の解明, 第73回応用物理学会学術講演会, 2012.
• 新留 彩, 福田裕樹, 小田俊理, 内田 建. 架橋多層グラフェンナノリボンにおける電荷数の温度依存性, 第59回応用物理学関係連合講演会, 2012.

[ BibTeX 形式で保存 ]    [ 論文・著書をCSV形式で保存 ]    [ 特許をCSV形式で保存 ]